SK海力士表示，这一成功标志着内存工艺技术开始向接近10纳米的水平极限扩展。SK海力士凭借其业界领先的第五代10纳米工艺1b技术，在业界率先突破了技术限制，提高了设计完成度。
为了减少推进工艺过程中可能出现的错误，并最有效地将1bDRAM的优势转化为现实，公司扩展了1bDRAM的平台，开发出了1c。
与上一代产品相比，新芯片的成本竞争力有所提高，通过设计技术创新，生产率提高了30%以上。
该产品的运行速度提高了11%，有望被高性能数据中心采用。由于人工智能时代的到来导致耗电量增加，SK海力士预计采用该芯片可帮助数据中心减少多达30%的电费。
这家内存芯片生产商表示，新产品将在年内完成量产，明年开始批量出货。
SK海力士的DRAM开发负责人Kim Jong-hwan说，我们致力于通过将1c技术，具备最佳性能和成本竞争力，应用到我们的主要下一代产品中，为客户提供与众不同的价值。
他补充说，我们将继续努力保持在DRAM领域的领先地位，并成为最值得信赖的人工智能内存解决方案提供商。
在SK海力士成功开发出全球首款第六代DRAM芯片的同时，争夺全球霸主地位的超精细工艺竞争似乎也日趋白热化。
全球第一大内存芯片制造商三星电子表示，将于今年年底开始量产第六代10纳米工艺。这一消息是在3月于加利福尼亚举行的MemCon上宣布的。在此之前，SK海力士也于本周四公布了量产计划。
据业内人士透露，三星还组建了一个团队，以加速开发第七代10纳米芯片制造技术。
总部位于美国的美光科技公司在第六代和第七代10纳米工艺技术的竞争中似乎落后于两家韩国存储芯片制造商，三星电子和SK海力士，尽管它是最早开发出第四代10纳米工艺技术的公司。
美光公司在1b工艺之前不使用极紫外设备制造DRAM。相比之下，三星已经获得了采用极紫外光的DRAM制造技术，并计划从1c工艺开始采用极紫外光，通过赶超战略缩小差距。
同时，半导体行业预计全球芯片制造商之间的激烈竞争还将持续一段时间，因为超精细加工仍然是衡量技术实力的关键指标。
然而，有预测表明，微处理技术的发展可能已达到极限，因此有人推测，竞争将转向混合键合，这是一种旨在最大限度提高芯片集成度的方法。
